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公司动态

TK7J90E

    MOSFET的硅N沟道MOS(π-MOS)东芝场效应管TK7J90E

    1.应用•开关电源

    2.功能特点(1)低漏源导通电阻:(典型值)的RDSON=1.6Ω2)低漏电流:IDSS= 10微安(最大值)(VDS=720 V)(3)增强模式:Vth= 2.54.0VVDS= 10VID =0.7 mA)的

    3.封装和内部电路

    东芝TK7J90E

[发布时间:2016/4/5 13:12:00]

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