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TK7J90E
MOSFET的硅N沟道MOS(π-MOS)东芝场效应管TK7J90E
1.应用•开关电源
2.功能特点(1)低漏源导通电阻:(典型值)的RDS(ON)=1.6Ω(2)低漏电流:IDSS= 10微安(最大值)(VDS=720 V)(3)增强模式:Vth的= 2.5至4.0V(VDS= 10V,ID =0.7 mA)的
3.封装和内部电路
东芝TK7J90E
[发布时间:2016/4/5 13:12:00]