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TK39N60W5
东芝场效应管硅N沟道MOS管（DTMOS）TK39N60W5
1.应用•开关电源稳压器
2.功能特点（1）具有低导通电阻通过采用超结结构DTMOS的。 RDS（ON）=开关速度的0.055Ω（标准）（2）栅极优化。（3）操作简单，它是增强型MOS管。：Vth的=2.7-3.7V（VDS = 10 V，ID = 1.9 mA）的3.外观及内部电路框图TO-247
东芝TK39N60W5栅源电压漏电流（DC）漏电流（脉冲）允许的损耗单脉冲雪崩能量雪崩电流反向漏电流（DC）反向漏电流（脉冲）通道温度，存储温度
注1：使用设备的通道温度不超过150度。注2：单脉冲雪崩能量应用条件VDD = 90 V，RG = 25Ω，IAR = 9.7
东芝TK39N60W5注：本产品为MOS结构。处理时，请注意静电。
[发布时间：2016/4/5 13:16:00]
