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TK39N60W5

    东芝场效应管硅N沟道MOS管(DTMOSTK39N60W5

    1.应用•开关电源稳压器

    2.功能特点(1)具有低导通电阻通过采用超结结构DTMOS的。 RDSON=开关速度的0.055Ω(标准)(2)栅极优化。3)操作简单,它是增强型MOS管。Vth=2.7-3.7VVDS = 10 VID = 1.9 mA)的3.外观及内部电路框图TO-247

    东芝TK39N60W5栅源电压漏电流(DC)漏电流(脉冲)允许的损耗单脉冲雪崩能量雪崩电流反向漏电流(DC)反向漏电流(脉冲)通道温度,存储温度

    1:使用设备的通道温度不超过150。注2:单脉冲雪崩能量应用条件VDD = 90 VRG = 25Ω,IAR = 9.7

    东芝TK39N60W5注:本产品为MOS结构。处理时,请注意静电。

[发布时间:2016/4/5 13:16:00]

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